CMOS芯片结构与制造技术

CMOS学习中…

LSI、VLSI制造基本技术

• 基础工艺技术
• 晶圆吸杂去除被金属刀片切割的单晶硅片上沾染的金属
  • 外部吸杂离子注入
  • 内部吸杂氢气中退火处理
• 氧化氧气中加热形成二氧化硅薄膜
  • 依据氧化气氛分类
  常用干氧、湿氧、干痒相结合的方式混合含氯气体（氯气、氯酸等）捕获Na离子，改善SiO2表面稳定性。
  • 干氧氧化
    • 可以使用氮气和氩气稀释氧气，减慢氧化速度 形成超薄氧化膜
  • 水汽氧化
  • 湿气氧化
  • 依据集成电路制造工艺区分
  • 初始氧化
  • 基地氧化
  • 预氧化
  • 场区氧化
  • 栅氧化
  • 多晶氧化
  • 源漏氧化
• 光刻通过光照将光掩模版的电路打印在光刻胶上
  • 工序
  • 硅片处理
  • 涂黏附剂
  • 涂胶
  • 前烘
  • 曝光
  • 显影
  • 后烘
  • 光源
  • 0.8um 高压水银灯 436nm
  • 0.35um i线 365nm
  • 0.13um UV光KrF 248nm
  • 0.10um ArF 193nm
  • 更窄 F2 157nm
• 腐蚀或刻蚀
  • 湿法腐蚀腐蚀剂浸泡光刻后硅片
  • 精度不高
  • 干法刻蚀
  • 等离子刻蚀依靠气体辉光放电刻蚀
  • 反应离子刻蚀纵向刻蚀，精度较高
• 去胶
• 离子注入对Si衬底掺杂，改变电特性
  • 高能离子注入
  • 低能离子注入0.13um以下
• 扩散退火氮气约1000度加热
• 薄膜沉淀CVD工艺